目前,市场上超高温用 O 形圈的标准耐热温度约为 325°C。然而,近年来随着半导体工艺的日益成熟,对半导体制造设备用密封材料的耐热性能提出了更高的要求。 新开发的 O 形圈的耐热温度为 350°C,即使在目前相关市场要求较高的 300°C 温度下长期连续使用(一个月),也能保持 O 形圈的基本特性,如压缩性能和机械强度,并表现出稳定的密封性能。 因此,它适用于要求高耐热性的干法蚀刻和 ALD(原子层沉积)排气系统的密封材料。
使用新开发的 O 形环,即使在超高温工作环境中,也能显著减少降低 O 形环密封性能的变形、塌陷、开裂等现象,从而减少更换 O 形环所需的维护频率(提高设备利用率),并有助于大幅降低半导体制造成本。 这有助于大幅降低半导体制造成本。